એક અલગ કરેલા ચાર્જ થયેલા કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. નીચેનામાંથી કઈ રાશિ સમાન રહેશે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે, પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાને સંપૂર્ણપણે ભરવા માટે એક ડાયઇલેક્ટ્રિક પ્લેટ દાખલ કરવામાં આવે છે. કેપેસિટરને ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને પછી બેટરીથી ડિસ્કનેક્ટ કરવામાં આવે છે. ડાયઇલેક્ટ્રિક પ્લેટને ધીમે ધીમે પ્લેટોને સમાંતર કેપેસિટરની બહાર ખેંચવામાં આવે છે. પ્લેટો વચ્ચેના વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $V$ અને બહાર ખેંચાયેલી ડાયઇલેક્ટ્રિક પ્લેટની લંબાઈ $x$ વચ્ચેનો આલેખ છે:

એક કેપેસિટર પાસે બે વર્તુળાકાર પ્લેટો છે,જેની ત્રિજ્યા $8 \ cm$ છે અને તેમની વચ્ચેનું અંતર $1 \ mm$ છે. જ્યારે આ પ્લેટોની વચ્ચે ડાઈઈલેક્ટ્રિક સ્લેબ (ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંક $K = 6$) મૂકવામાં આવે ત્યારે આ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ ગણો.

વિધાન: જ્યારે ડાયઇલેક્ટ્રિક પ્લેટો વચ્ચેની સંપૂર્ણ જગ્યા ભરે છે ત્યારે ચાર્જ થયેલા આઇસોલેટેડ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું ઇલેક્ટ્રોસ્ટેટિક બળ ઘટે છે.
કારણ: જ્યારે ડાયઇલેક્ટ્રિક પ્લેટો વચ્ચેની સંપૂર્ણ જગ્યા ભરે છે ત્યારે ચાર્જ થયેલા આઇસોલેટેડ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું ઇલેક્ટ્રિક ફિલ્ડ વધે છે.

એક કેપેસિટરને $V$ વોલ્ટેજની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. જો પ્લેટોની વચ્ચે $k$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ સંપૂર્ણપણે દાખલ કરવામાં આવે,તો કેપેસિટર પરનો અંતિમ વિદ્યુતભાર કેટલો હશે? (ધારો કે પ્રારંભિક વિદ્યુતભાર $q_{0}$ છે)

એક હવાના કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં ડાયઇલેક્ટ્રિક ભરવાથી શું વધે છે?