ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં પ્રકાશના બિંદુવત ઉદગમનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે. જો ઉદગમને ઉત્સર્જક ધાતુથી દૂર લઈ જવામાં આવે, તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ

ધાતુઓનું કાર્ય વિધેય $Na = 1.92 \, eV, K = 2.15 \, eV, Mo = 4.17 \, eV, Ni = 5.0 \, eV$ આપેલ છે. આ ધાતુઓ પૈકી કઈ ધાતુ $He-Cd$ લેસરમાંથી $3300 \, \mathring{A}$ તરંગલંબાઈના ઉત્સર્જન માટે ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન દર્શાવશે નહીં?

જ્યારે $\lambda_1$ અને $\lambda_2$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ બે સમાન ધાતુની પ્લેટો પર આપાત થાય છે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે $(\lambda_1 = 1.5\lambda_2)$. જો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા અનુક્રમે $E_1$ અને $E_2$ હોય, તો:

$8\,eV$ ઉર્જા ધરાવતો એક ફોટોન $1.6 \times 10^{15}\,Hz$ ની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા .......... $eV$ છે.
(લો $h = 6.6 \times 10^{-34}\,J\cdot s$; $1\,eV = 1.6 \times 10^{-19}\,J$)

એક ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $2.1 \text{ eV}$ છે. નીચેનામાંથી કઈ તરંગલંબાઈ તેની સપાટી પરથી ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરી શકશે?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,ધાતુ પર આપાત થતા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $300\, nm$ થી બદલીને $400\, nm$ કરવામાં આવે છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ઘટાડો આશરે ................ $V$ છે $\left( \frac{hc}{e} = 1240\, nm \cdot V \right)$