$1.13 eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $310 nm$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે. ફોટોઇલેક્ટ્રોનને ઉત્સર્જિત થતા અટકાવવા માટે જરૂરી રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ (સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ) કેટલું હશે ($V$ માં)? [$hc = 1240 eV \cdot nm$ લો]

જ્યારે $300 \, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો $UV$ પ્રકાશ $2.13 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે, ત્યારે ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થાય છે। સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($ \, V$ માં)? (આપેલ છે: $hc = 1240 \, eV \cdot nm$)

જો હાઇડ્રોજન પરમાણુમાં ઇલેક્ટ્રોન ત્રીજી બોહર કક્ષામાંથી સીધો ધરા સ્થિતિમાં કૂદકો મારે અને બંને અવસ્થાઓ વચ્ચેની ઉર્જાનો તફાવત ફોટોન સ્વરૂપે ઉત્સર્જિત થાય છે. જો પદાર્થનું કાર્ય વિધેય $4.1 \text{ eV}$ હોય, તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ આશરે કેટલું હશે ($\text{ V}$ માં)?
$\left[n^{\text{મી}} \text{ કક્ષામાં ઇલેક્ટ્રોનની ઉર્જા} = \frac{-13.6}{n^2} \text{ eV}\right]$

બે ધાતુઓના વર્ક ફંક્શનનો ગુણોત્તર $1:2$ છે. જો તેમના પર અનુક્રમે $f$ અને $2f$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો થશે?

જો ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $6000 \, \mathring{A}$ થી ઘટાડીને $4000 \, \mathring{A}$ કરવામાં આવે,તો:

$491\, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત ફોટોસેન્સિટિવ સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.710\, V$ છે. જ્યારે આપાત તરંગલંબાઈ બદલીને નવી કિંમત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.43\, V$ થાય છે. નવી તરંગલંબાઈ ....... $nm$ છે.