જ્યારે $300 \, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો $UV$ પ્રકાશ $2.13 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે, ત્યારે ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થાય છે। સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($ \, V$ માં)? (આપેલ છે: $hc = 1240 \, eV \cdot nm$)

$2.5 eV$ અને $3.5 eV$ ઉર્જા ધરાવતા બે ફોટોન $1.5 eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર પડે છે. ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

વિધાન $1$ : જ્યારે પારજાંબલી પ્રકાશ ફોટોસેલ પર આપાત થાય છે, ત્યારે તેનો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ છે અને ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $K_{max}$ છે. જ્યારે પારજાંબલી પ્રકાશને બદલે $X$-કિરણોનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે, ત્યારે $V_0$ અને $K_{max}$ બંને વધે છે.
વિધાન $2$ : ફોટોઈલેક્ટ્રોન $0$ થી મહત્તમ મૂલ્ય સુધીની ઝડપની રેન્જ સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે કારણ કે આપાત પ્રકાશમાં આવૃત્તિઓની રેન્જ હોય છે.

$6.6 \text{eV}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ માટે, આપાત વિકિરણની નીચેનામાંથી કઈ તરંગલંબાઇ ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર ઉત્પન્ન કરતી નથી ($\text{nm}$ માં)? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} \text{J s}$ અને પ્રકાશની ગતિ $c = 3 \times 10^8 \text{m/s}$ લો)

એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થ પર,જ્યારે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિમાં $20 \%$ નો વધારો કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $0.4 \ eV$ થી વધીને $0.7 \ eV$ થાય છે. પદાર્થનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે ($eV$ માં)?

એક ધાતુની સપાટી પર બે ફોટોન,જેની ઊર્જા ધાતુના વર્ક ફંક્શન કરતાં અનુક્રમે બમણી અને ત્રણ ગણી છે,તે એક પછી એક આપાત થાય છે. તો આ બંને કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો થશે?