$2.5 eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટરથી $p-n$ જંકશન ફોટોડાયોડ બનાવવામાં આવે છે. તે કેટલી તરંગલંબાઇનો સિગ્નલ શોધી શકે છે? (આપેલ છે: પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} Js$,પ્રકાશની ગતિ $c = 3 \times 10^8 m/s$,પ્રાથમિક વિદ્યુતભાર $e = 1.6 \times 10^{-19} C$)

  • A
    $6000 nm$
  • B
    $6000 Å$
  • C
    $5000 Å$
  • D
    $4000 nm$

Explore More

Similar Questions

કયા પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર ઉપકરણને કોઈ બાયસ વોલ્ટેજની જરૂર પડતી નથી?

એક $LED$ (Light Emitting Diode) એ $Ga-As-P$ સેમિકન્ડક્ટર મટિરિયલના $p-n$ જંકશનથી બનેલું છે,જેનો એનર્જી ગેપ $1.9\, eV$ છે. ઉત્સર્જિત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે?

ફોરવર્ડ બાયસમાં પ્રવાહ $(\sim mA)$ એ રિવર્સ બાયસ $(\sim \mu A)$ ના પ્રવાહ કરતા વધારે હોય છે. તો પછી ફોટોડાયોડને રિવર્સ બાયસમાં ચલાવવાનું કારણ શું છે?

$LED$ દ્રશ્યમાન પ્રકાશના વિસ્તારમાં પ્રકાશ ઉત્સર્જિત કરી શકે તે માટે,તેનો એનર્જી બેન્ડ ગેપ કઈ રેન્જમાં હોવો જોઈએ?

ફોટોડાયોડના કાર્યમાં,રિવર્સ કરંટ શેના પર આધાર રાખે છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo