એક $LED$ (Light Emitting Diode) એ $Ga-As-P$ સેમિકન્ડક્ટર મટિરિયલના $p-n$ જંકશનથી બનેલું છે,જેનો એનર્જી ગેપ $1.9\, eV$ છે. ઉત્સર્જિત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે?

  • A
    $650\, nm$
  • B
    $65\, \mathring{A}$
  • C
    $800\, nm$
  • D
    $8000\, \mathring{A}$

Explore More

Similar Questions

નીચેનામાંથી કઈ અર્ધવાહક રચનાને કાર્યરત કરવા માટે રિવર્સ બાયસની જરૂર પડે છે?

એક લાલ $LED$ $0.1 \ W$ પર પ્રકાશનું ઉત્સર્જન સમાન રીતે બધી દિશાઓમાં કરે છે. ડાયોડથી $1 \ m$ ના અંતરે પ્રકાશના વિદ્યુતક્ષેત્રનો કંપવિસ્તાર .... $V \ m^{-1}$ છે.

વિધાન : ડાયોડ લેસરનો ઉપયોગ ઓપ્ટિકલ કોમ્યુનિકેશનમાં ઓપ્ટિકલ સ્ત્રોત તરીકે થાય છે.
કારણ : ડાયોડ લેસર ઓછી ઉર્જા વાપરે છે.

$2.5 \ eV$ બૅન્ડગેપ ધરાવતા અર્ધવાહકમાંથી ફોટો-ડાયોડ બનાવેલ છે. શું તે $6000 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈને પારખી શકશે?

$Vidicon$ કયા સિદ્ધાંત પર કાર્ય કરે છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo