प्रकाश का एक बिंदु स्रोत $4.8 eV$ ऊर्जा वाले फोटॉनों का उत्सर्जन $10^5$ फोटॉन प्रति सेकंड की दर से करता है। ये फोटॉन $2.8 eV$ कार्य फलन और $9 mm$ त्रिज्या वाले एक प्रकाश-संवेदी गोले पर आपतित होते हैं। गोला प्रारंभ में उदासीन है और उत्सर्जित फोटो-इलेक्ट्रॉनों को तुरंत हटा दिया जाता है। वह समय जिसके बाद फोटो-इलेक्ट्रिक उत्सर्जन रुक जाएगा,है ($s$ में)

सीज़ियम का कार्य फलन (work function) $2.14 \ eV$ है। यदि फोटोकरंट को $0.60 \ V$ के निरोधी विभव (stopping potential) द्वारा शून्य कर दिया जाता है, तो आपतित प्रकाश की तरंगदैर्ध्य ज्ञात कीजिए।

$6630 \; \mathring{A}$ तरंगदैर्ध्य वाले प्रकाश द्वारा प्रकाशित सतह से उत्सर्जित फोटोइलेक्ट्रॉन के लिए निरोधी विभव (stopping potential) $0.42 \; V$ है। यदि देहली आवृत्ति (threshold frequency) $x \times 10^{13} \; s^{-1}$ है,तो $x$ का मान क्या होगा? (निकटतम पूर्णांक)।
(दिया गया है: प्रकाश की गति $= 3 \times 10^{8} \; m/s$,प्लांक नियतांक $= 6.63 \times 10^{-34} \; J \cdot s$)

एक प्रकाश-विद्युत प्रयोग में,संग्राहक प्लेट (collector plate) तांबे $(\phi = 4.5\,eV)$ से बनी उत्सर्जक प्लेट (emitter plate) के सापेक्ष $2.0\,V$ पर है। उत्सर्जक को $200\,nm$ तरंगदैर्ध्य वाले एकवर्णी प्रकाश के स्रोत द्वारा प्रकाशित किया जाता है।

प्रकाश-विद्युत प्रभाव के एक प्रयोग में,$f$ धातु की सतह पर आपतित विकिरणों की आवृत्ति है और $I$ आपतित विकिरणों की तीव्रता है। निम्नलिखित कथनों पर विचार करें। कौन से कथन सही हैं?
$(A)$ यदि $I$ और कार्य फलन (work function) को स्थिर रखकर $f$ को बढ़ाया जाता है,तो फोटोइलेक्ट्रॉन की अधिकतम गतिज ऊर्जा बढ़ जाती है।
$(B)$ यदि कैथोड और एनोड के बीच की दूरी बढ़ाई जाती है,तो निरोधी विभव (stopping potential) बढ़ जाता है।
$(C)$ यदि $f$ और कार्य फलन को स्थिर रखकर $I$ को बढ़ाया जाता है,तो निरोधी विभव समान रहता है और संतृप्ति धारा (saturation current) बढ़ जाती है।
$(D)$ यदि $f$ और $I$ को स्थिर रखकर कार्य फलन को घटाया जाता है,तो निरोधी विभव बढ़ जाता है।

किसी दिए गए प्रकाश-संवेदी पदार्थ के लिए स्टॉपिंग विभव $V_{0}$ और आपतित विकिरण की आवृत्ति $\nu$ के बीच का परिवर्तन एक सीधी रेखा है [आपतित विकिरण की आवृत्ति $\nu$,देहली आवृत्ति $\nu_{0}$ से अधिक है]। इस रेखा की ढाल (slope) . . . . . . है।