$p-n$ જંકશન ડાયોડ ફોરવર્ડ બાયસમાં $20 \, mA$ સુધીનો પ્રવાહ સહન કરી શકે છે। ડાયોડના બે છેડા વચ્ચેનો પોટેન્શિયલ તફાવત $0.5 \, V$ છે, જે પ્રવાહથી સ્વતંત્ર માનવામાં આવે છે। જ્યારે $125 \, \Omega$ નો અવરોધ તેની સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવે ત્યારે ડાયોડને ફોરવર્ડ બાયસ કરવા માટે વપરાતી બેટરીનો મહત્તમ વોલ્ટેજ કેટલો હશે ($V$ માં)?

જ્યારે $p-n$ જંકશન ડાયોડ ફોરવર્ડ બાયસમાં હોય,ત્યારે કયા પ્રકારના વિદ્યુતભાર વાહકો કનેક્ટિંગ વાયરમાં વહે છે?

એક સેમિકન્ડક્ટર $X$ ને જર્મેનિયમ ક્રિસ્ટલમાં આર્સેનિક $(Z=33)$ ઉમેરીને બનાવવામાં આવે છે. બીજું સેમિકન્ડક્ટર $Y$ જર્મેનિયમમાં ઇન્ડિયમ $(Z=49)$ ઉમેરીને બનાવવામાં આવે છે. બંનેને એકબીજા સાથે જોડીને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

આદર્શ ડાયોડ માટે,ફોરવર્ડ અને રિવર્સ બાયસ સ્થિતિમાં અવરોધ અનુક્રમે કેટલો હોય છે?

એક સર્કિટ અને તેના ઇનપુટ ટર્મિનલ $(V_i)$ પર લાગુ કરવામાં આવેલ સિગ્નલ નીચેની આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. કયો વિકલ્પ આઉટપુટ વેવફોર્મ $(V_0)$ નું યોગ્ય રીતે વર્ણન કરે છે? (ધારો કે ઉપયોગમાં લેવાયેલ તમામ ઉપકરણો આદર્શ છે અને $P$ ને સંદર્ભ પોટેન્શિયલ તરીકે લો.)

અનબાયસ્ડ $PN$ જંકશનના ડેપ્લેશન ઝોન (depletion zone) અંગે નીચેનામાંથી કયું/કયા વિધાન/વિધાનો સાચું/સાચા છે?
$(A)$ ઝોનની પહોળાઈ ડોપન્ટ્સ (અશુદ્ધિઓ) ની ઘનતાથી સ્વતંત્ર છે.
$(B)$ ઝોનની પહોળાઈ ડોપન્ટ્સની ઘનતા પર આધારિત છે.
$(C)$ ઝોનમાં વિદ્યુતક્ષેત્ર આયનીકૃત ડોપન્ટ પરમાણુઓ દ્વારા ઉત્પન્ન થાય છે.
$(D)$ ઝોનમાં વિદ્યુતક્ષેત્ર કન્ડક્શન બેન્ડમાં રહેલા ઇલેક્ટ્રોન અને વેલેન્સ બેન્ડમાં રહેલા હોલ્સ દ્વારા પૂરું પાડવામાં આવે છે.