2.8 eV के बैंड गैप वाले अर्धचालक से एक p-n ज | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(D) फोटॉन की ऊर्जा $E = \frac{hc}{\lambda}$ द्वारा दी जाती है।$p-n$ जंक्शन के लिए सिग्नल का पता लगाने हेतु, आपतित फोटॉन की ऊर्जा बैंड गैप ऊर्जा $(E_g

Vedclass · Accepted Answer

$600$

Vedclass · Answer

(D) फोटॉन की ऊर्जा $E = \frac{hc}{\lambda}$ द्वारा दी जाती है।$p-n$ जंक्शन के लिए सिग्नल का पता लगाने हेतु, आपतित फोटॉन की ऊर्जा बैंड गैप ऊर्जा $(E_g = 2.8 \ eV)$ से अधिक या उसके बराबर होनी चाहिए।यदि $E $h = 6 	imes 10^{-34} \ J \cdot s$ और $c = 3 	imes 10^8 \ m/s$ का उपयोग करने पर, हमें $hc = 18 	imes 10^{-26} \ J \cdot m$ प्राप्त होता है।$E_g$ को जूल में बदलने पर: $2.8 \ eV = 2.8 	imes 1.6 	imes 10^{-19} \ J = 4.48 	imes 10^{-19} \ J$.थ्रेशोल्ड तरंगदैर्ध्य $\lambda_0 = \frac{hc}{E_g} = \frac{18 	imes 10^{-26}}{4.48 	imes 10^{-19}} \approx 4.017 	imes 10^{-7} \ m = 401.7 \ 	ext{nm}$.कोई भी तरंगदैर्ध्य $\lambda > \lambda_0$ के लिए ऊर्जा $E दिए गए विकल्पों में से, $600 \ nm$ ही एकमात्र तरंगदैर्ध्य है जो $401.7 \ nm$ से अधिक है।

Similar Questions

दृश्यमान LEDs के निर्माण के लिए उपयोग किए जाने वाले अर्धचालक (semiconductor) का बैंड गैप कम से कम कितना होना चाहिए ($eV$ में)?

फोटोडायोड की कार्यप्रणाली में,रिवर्स करंट किस पर निर्भर करता है?

सौर सेल के लिए $Si$ और $GaAs$ को पसंदीदा सामग्री क्यों माना जाता है?

किस प्रकार के $p-n$ जंक्शन डायोड को किसी भी प्रकार के बायस (bias) की आवश्यकता नहीं होती है?

$LED$ के मामले में निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही नहीं है?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module