એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ $C$ ફેરાડે, પોટેન્શિયલ $V$ વોલ્ટ અને ઉર્જા $E$ જુલ છે. જ્યારે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા સંપૂર્ણપણે ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $K$ ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિકથી ભરવામાં આવે છે, ત્યારે પોટેન્શિયલ $V$ અને ઉર્જા $E$ માં શું ફેરફાર થાય છે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં,અનુક્રમે $t_1$ અને $t_2$ જાડાઈ અને $K_1$ અને $K_2$ ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી બે ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક સ્લેબ મૂકવામાં આવે છે. આ કેપેસિટરની કેપેસિટી કેટલી હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર પર $5 \times 10^{-6} \ C$ વિદ્યુતભાર છે. પ્લેટોની વચ્ચે એક ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ મૂકવામાં આવે છે જે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાને લગભગ ભરી દે છે. જો સ્લેબની એક સપાટી પર પ્રેરિત વિદ્યુતભાર $4 \times 10^{-6} \ C$ હોય, તો સ્લેબનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક . . . . . . છે.

એક કેપેસિટરને ચાર્જ કર્યા પછી બેટરી દૂર કરવામાં આવે છે. જો પ્લેટોની વચ્ચે ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે,તો સાચું વિધાન પસંદ કરો.

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર પાસે ડાયઇલેક્ટ્રિકના બે સ્તરો છે. આ કેપેસિટર એક બેટરી સાથે જોડાયેલું છે. કયો આલેખ ડાબી પ્લેટથી અંતર $(x)$ સાથે વિદ્યુતક્ષેત્ર $(E)$ માં થતો ફેરફાર દર્શાવે છે?

હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસીટન્સ $9 \ pF$ છે. તેની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. હવે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા બે ડાયલેક્ટ્રિક્સથી ભરવામાં આવે છે. એક ડાયલેક્ટ્રિકનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $K_1 = 6$ અને જાડાઈ $\frac{d}{3}$ છે,જ્યારે બીજાનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $K_2 = 12$ અને જાડાઈ $\frac{2d}{3}$ છે. હવે કેપેસિટરનું કેપેસીટન્સ ......... $pF$ છે.