एक फोटोडिटेक्टर को $E_g = 0.73 \, eV$ बैंड गैप वाले अर्धचालक से बनाया गया है। यह अधिकतम कितनी तरंगदैर्ध्य ($nm$ में) का पता लगा सकता है?

  • A
    $1000$
  • B
    $1703$
  • C
    $500$
  • D
    $173$

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$(a)$ फोटोडायोड
$(b)$ फोटोवोल्टिक सेल
$(c)$ $LED$
$(d)$ फोटो-थर्मल उपकरण

ऑप्टिकल फाइबर संचार में, $APD$ अर्धचालक का उपयोग किसके लिए किया जाता है?

फॉरवर्ड बायस में धारा $(\sim mA)$ का मान रिवर्स बायस $(\sim \mu A)$ की धारा से अधिक होता है। तो फिर फोटोडायोड को रिवर्स बायस में संचालित करने का क्या कारण है?

यदि एक अर्धचालक फोटोडायोड $400\, nm$ की अधिकतम तरंगदैर्ध्य वाले फोटॉन का पता लगा सकता है, तो इसकी बैंड गैप ऊर्जा क्या होगी ($ eV$ में)? (दिया गया है: प्लांक नियतांक $h = 6.63 \times 10^{-34}\, J \cdot s$, प्रकाश की गति $c = 3 \times 10^{8}\, m/s$)

फोटोडायोड का उपयोग ऑप्टिकल संकेतों का पता लगाने के लिए किया जाता है। इन डायोड को अधिमानतः रिवर्स बायस मोड में संचालित किया जाता है क्योंकि:

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