સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $0.05\, m$ છે. પ્લેટોની વચ્ચે $3 \times 10^4\, V/m$ મૂલ્યનું વિદ્યુતક્ષેત્ર સ્થાપિત કરવામાં આવે છે. કેપેસિટરને બેટરીથી અલગ કરવામાં આવે છે અને $0.01\, m$ જાડાઈની ધાતુની અવિદ્યુતભારિત પ્લેટ દાખલ કરવામાં આવે છે. જો ધાતુની પ્લેટને બદલે $K = 2$ ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી પ્લેટ મૂકવામાં આવે,તો સ્થિતિમાન તફાવત કેટલા $kV$ હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનો પોટેન્શિયલ $20\,kV$ અને કેપેસિટન્સ $2 \times 10^{-4}\,\mu F$ છે. જો પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $0.01\,m^2$ હોય અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $2\,mm$ હોય,તો માધ્યમનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક શોધો.

હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં,દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $6 \times 10^{-3} \, m^{2}$ છે અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $3 \, mm$ છે. કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $17.71 \, pF$ છે. જો આ કેપેસિટરને $100 \, V$ ના સપ્લાય સાથે જોડવામાં આવે અને પ્લેટોની વચ્ચે $3 \, mm$ જાડી માઈકાની શીટ (ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $k = 6$) મૂકવામાં આવે,તો નીચેના કિસ્સાઓમાં નવું કેપેસિટન્સ,વિદ્યુતભાર અને સ્થિતિમાનનો તફાવત શોધો:
$(a)$ જ્યારે વોલ્ટેજ સપ્લાય જોડાયેલ રહે છે.
$(b)$ સપ્લાય દૂર કર્યા પછી.

જો $4 \times 10^{-3} \ m$ જાડાઈ ધરાવતી અવાહક પદાર્થની પ્લેટને સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે મૂકવામાં આવે,તો કેપેસીટન્સને મૂળ મૂલ્ય પર લાવવા માટે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $3.5 \times 10^{-3} \ m$ જેટલું વધારવું પડે છે. તો આ પદાર્થનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $9 \ pF$ છે. તેની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. હવે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા બે ડાયલેક્ટ્રિક્સથી ભરવામાં આવે છે. એક ડાયલેક્ટ્રિકનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $k_1 = 3$ અને જાડાઈ $d/3$ છે,જ્યારે બીજાનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $k_2 = 6$ અને જાડાઈ $2d/3$ છે. હવે કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ . . . . . . $pF$ છે.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $8\,mm$ છે અને વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $(P.D.)$ $120\,V$ છે. જો તેની પ્લેટો વચ્ચે $6\,mm$ જાડાઈની અને $6$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી સ્લેબ મૂકવામાં આવે,તો: