સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની અડધી જગ્યામાં પ્લેટોને સમાંતર $K$ ડાય-ઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું માધ્યમ ભરવામાં આવે છે. જો પ્રારંભિક કેપેસિટન્સ $C$ હોય,તો નવું (અંતિમ) કેપેસિટન્સ કેટલું હશે?

બે સમાન કેપેસિટર્સ $A$ અને $B$ પરિપથમાં દર્શાવ્યા મુજબ જોડાયેલા છે. શરૂઆતમાં સ્વીચ $S$ બંધ છે. હવે સ્વીચ ખોલવામાં આવે છે અને કેપેસિટર્સની પ્લેટો વચ્ચેની ખાલી જગ્યામાં $K = 3$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું ડાયઇલેક્ટ્રિક ભરવામાં આવે છે. ડાયઇલેક્ટ્રિક દાખલ કર્યા પહેલા અને પછી કેપેસિટર્સમાં સંગ્રહિત કુલ સ્થિત વિદ્યુત ઉર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર,જે ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $K$ ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબથી આંશિક રીતે ભરેલું છે,તેને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $V \text{ volt}$ emf ધરાવતા સેલ સાથે જોડવામાં આવ્યું છે. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $D$ છે. તો:

હવામાં રાખેલા બે વિદ્યુતભારો વચ્ચેનું સ્થિત-વિદ્યુત બળ $F$ છે. જો તેમની વચ્ચેની જગ્યાનો $30 \%$ ભાગ એક માધ્યમથી ભરવામાં આવે,તો તેમની વચ્ચેનું સ્થિત-વિદ્યુત બળ $\frac{F}{2.56}$ થાય છે. તો તે માધ્યમનો ડાય-ઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

$A$ પ્લેટ ક્ષેત્રફળ અને $d$ પ્લેટ અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $4 \, \mu F$ છે. જો તેમની વચ્ચેની અડધી જગ્યા $K = 3$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થથી ભરવામાં આવે (આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ),તો સિસ્ટમનું નવું કેપેસિટન્સ .........$ \mu F$ થશે.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ $A$ અને તેમની વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. એક બેટરી પ્લેટોને $V_0$ જેટલા વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત સુધી ચાર્જ કરે છે. ત્યારબાદ બેટરીને દૂર કરવામાં આવે છે અને $d$ જાડાઈની ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. સ્લેબ દાખલ કર્યા પહેલા અને પછી કેપેસિટરમાં સંગ્રહિત ઉર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?