$P-N$ जंक्शन बनाने के लिए $Si$ पदार्थ का उपयोग किया गया है। तो डिप्लेशन बैरियर की ऊंचाई लगभग कितने $V$ होगी?

एक $P-N$ जंक्शन डायोड में,यदि $P$ क्षेत्र $n$ क्षेत्र की तुलना में अधिक भारी रूप से डोप (heavily doped) किया गया है,तो अवक्षय परत (depletion layer) होगी:

एक $p-n$ जंक्शन डायोड को $5.7 \ V$ के emf वाली बैटरी के साथ $5 \ k\Omega$ के प्रतिरोधक के श्रेणीक्रम में इस प्रकार जोड़ा जाता है कि यह अग्र अभिनत (forward biased) हो। यदि डायोड का रोधिका विभव (barrier potential) $0.7 \ V$ है,और डायोड के प्रतिरोध को नगण्य माना जाए,तो परिपथ में धारा का मान क्या होगा?

एक डायोड सभी धाराओं के लिए $0.5\, V$ के स्थिर विभव पतन (potential drop) पर कार्य करता है और इसकी अधिकतम शक्ति रेटिंग $100\, mW$ है। यदि स्रोत वोल्टेज $1.5\, V$ है,तो डायोड के साथ श्रेणीक्रम में कितना प्रतिरोध जोड़ा जाना चाहिए ताकि परिपथ में धारा अधिकतम हो? ($\Omega$ में)

यदि एक $p-n$ जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस में है,तो:

निम्नलिखित परिपथ में आउटपुट वोल्टेज क्या है? (आदर्श डायोड स्थिति पर विचार करें)