$P-N$ जंक्शन डायोड का बैरियर विभव (barrier potential) निम्नलिखित में से किस पर निर्भर नहीं करता है?

$X$ और $Y$ बिंदुओं के बीच एक $5 \, V$ की बैटरी जुड़ी है। मान लीजिए कि $D_{1}$ और $D_{2}$ सामान्य सिलिकॉन डायोड हैं। यदि बैटरी का धनात्मक टर्मिनल $X$ बिंदु से जुड़ा हो,तो बैटरी द्वारा आपूर्ति की गई धारा ($A$ में) ज्ञात कीजिए।

एक रिवर्स-बायस्ड $PN$ जंक्शन की डिप्लेशन परत के मध्य में,

डायोड $D_1$ के लिए,फॉरवर्ड बायस प्रतिरोध $20 \ \Omega$ है और रिवर्स बायस प्रतिरोध $600 \ \Omega$ है। डायोड $D_2$ के लिए,फॉरवर्ड बायस प्रतिरोध $30 \ \Omega$ है और रिवर्स बायस प्रतिरोध $200 \ \Omega$ है। $A$ और $B$ के बीच तुल्य प्रतिरोध ज्ञात कीजिए यदि $(i)$ $A$ उच्च विभव पर है और $(ii)$ $B$ उच्च विभव पर है।

दिए गए परिपथ में दो आदर्श डायोड एक बैटरी से जुड़े हैं। बैटरी द्वारा आपूर्ति की गई धारा है: ($A$ में)

विभिन्न तापमानों पर एक डायोड का अभिलक्षणिक ग्राफ दिखाया गया है। तापमानों के बीच क्या संबंध है?