$P-N$ જંકશન ડાયોડનું બેરિયર પોટેન્શિયલ નીચેનામાંથી કઈ બાબત પર આધાર રાખતું નથી?

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ,એક ડાયોડ બાહ્ય અવરોધ સાથે જોડાયેલ છે. ધારો કે ડાયોડમાં ઉત્પન્ન થતો બેરિયર પોટેન્શિયલ $0.5 \ V$ છે. તો પરિપથમાં વિદ્યુત પ્રવાહનું મૂલ્ય મિલી એમ્પિયરમાં શોધો. ($mA$ માં)

આપેલ પરિપથમાં બે આદર્શ ડાયોડ એક બેટરી સાથે જોડાયેલા છે. બેટરી દ્વારા પૂરો પાડવામાં આવતો પ્રવાહ ......$A$ છે.

p-n જંકશન પર $0.4 \,V$ નો પોટેન્શિયલ બેરિયર અસ્તિત્વ ધરાવે છે. એક ઇલેક્ટ્રોન $n$-બાજુથી $6.0 \times 10^{5} \,ms^{-1}$ ની ઝડપે જંકશનમાં પ્રવેશે છે. જે ઝડપ સાથે ઇલેક્ટ્રોન $p$-બાજુમાં પ્રવેશશે તે $\frac{x}{3} \times 10^{5} \,ms^{-1}$ છે. $x$ નું મૂલ્ય ............. છે.
(આપેલ છે: ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9 \times 10^{-31} \,kg$,ઇલેક્ટ્રોન પરનો વિદ્યુતભાર $= 1.6 \times 10^{-19} \,C$.)

$Ge$ અને $Si$ ડાયોડ અનુક્રમે $0.3\,V$ અને $0.7\,V$ પર વહન કરવાનું શરૂ કરે છે. નીચેની આકૃતિમાં,જો $Ge$ ડાયોડનું જોડાણ ઉલટાવવામાં આવે,તો $V_0$ ના મૂલ્યમાં કેટલો ફેરફાર થશે: ...... $V$ (ધારો કે $Ge$ ડાયોડ પાસે મોટો બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ છે).

આપેલ સર્કિટમાં $V_{AB}$ નું મૂલ્ય શોધો.