$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકમાં ફોરબિડન ગૅપમાં વેલેન્સ બૅન્ડની નજીક જે ઊર્જાસ્તર બને છે,તેને ...

$P-$ પ્રકારનો સેમિકન્ડક્ટર ત્યારે બને છે જ્યારે:

$1 \ m^3$ દીઠ સિલિકોન પરમાણુઓની સંખ્યા $5 \times 10^{28}$ છે. આમાં $4.5 \times 10^{21}$ પરમાણુ $/ m^3$ આર્સેનિક ઉમેરવામાં આવે છે. ડોપિંગ પછી ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા અને હોલ્સની સંખ્યાનો ગુણોત્તર કેટલો થશે? ($n_i = 1.5 \times 10^{16} / m^3$ લો)

$n$-ટાઈપ સિલિકોનમાં,નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન સ્ફટિકની વાહકતા કેટલી હશે,જો આ તાપમાને પ્રતિ $cm^3$ ઇલેક્ટ્રોન-હોલ જોડીની સંખ્યા $1.072 \times 10^{10}$ હોય,$\mu_e = 1350 \ cm^2/V \cdot s$ અને $\mu_h = 480 \ cm^2/V \cdot s$ હોય?

શુદ્ધ અર્ધવાહકની વાહકતા શેના દ્વારા વધારી શકાય છે?