चित्र में दो $P-N$ जंक्शन जुड़े हुए हैं। निम्नलिखित में से किस संयोजन में $P-N$ जंक्शनों के सिरों पर वोल्टेज समान होगा?

$p-n$ जंक्शन डायोड कैसे बनता है? अवक्षय परत (depletion layer) और रोधिका विभव (barrier potential) की व्याख्या कीजिए।

निम्नलिखित तालिका एक दिए गए डायोड के लिए प्राप्त $V$ और $I$ के मानों का सेट प्रदान करती है। मान लीजिए कि विशेषताएँ लगभग रैखिक हैं। इस सीमा में,दिए गए डायोड का फॉरवर्ड और रिवर्स बायस प्रतिरोध क्रमशः क्या है?

स्थिति	$V$	$I$
फॉरवर्ड बायसिंग	$2.0 \, V$	$60 \, mA$
फॉरवर्ड बायसिंग	$2.4 \, V$	$80 \, mA$
रिवर्स बायसिंग	$0 \, V$	$0 \, \mu A$
रिवर्स बायसिंग	$-2 \, V$	$-0.25 \, \mu A$

अनबायस्ड $PN$ जंक्शन के डिप्लीशन ज़ोन (depletion zone) के संबंध में निम्नलिखित में से कौन सा/से कथन सत्य है/हैं?
$(A)$ ज़ोन की चौड़ाई डोपेंट्स (अशुद्धियों) के घनत्व से स्वतंत्र है।
$(B)$ ज़ोन की चौड़ाई डोपेंट्स के घनत्व पर निर्भर करती है।
$(C)$ ज़ोन में विद्युत क्षेत्र आयनित डोपेंट परमाणुओं द्वारा उत्पन्न होता है।
$(D)$ ज़ोन में विद्युत क्षेत्र कंडक्शन बैंड में इलेक्ट्रॉनों और वैलेंस बैंड में होल्स द्वारा प्रदान किया जाता है।

जब एक $p-n$ जंक्शन पर रिवर्स बायस लगाया जाता है, तो यह . . . . . . .

दिए गए परिपथ में, डायोड को आदर्श मानिए। जब $V_{i}$, $2 \ V$ से बढ़कर $6 \ V$ हो जाता है, तो धारा में परिवर्तन ($mA$ में) कितना होगा?