अनबायस्ड $PN$ जंक्शन के डिप्लीशन ज़ोन (depletion zone) के संबंध में निम्नलिखित में से कौन सा/से कथन सत्य है/हैं?
$(A)$ ज़ोन की चौड़ाई डोपेंट्स (अशुद्धियों) के घनत्व से स्वतंत्र है।
$(B)$ ज़ोन की चौड़ाई डोपेंट्स के घनत्व पर निर्भर करती है।
$(C)$ ज़ोन में विद्युत क्षेत्र आयनित डोपेंट परमाणुओं द्वारा उत्पन्न होता है।
$(D)$ ज़ोन में विद्युत क्षेत्र कंडक्शन बैंड में इलेक्ट्रॉनों और वैलेंस बैंड में होल्स द्वारा प्रदान किया जाता है।

  • A
    $A, D$ सत्य हैं।
  • B
    $B, C$ सत्य हैं।
  • C
    $A, C$ सत्य हैं।
  • D
    इनमें से कोई नहीं।

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दिए गए परिपथों $(a)$,$(b)$ और $(c)$ में,किन परिपथों में दो p-n जंक्शनों के सिरों पर विभवांतर (potential drop) समान है?

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यदि एक $p-n$ जंक्शन पर विभव प्राचीर (potential barrier) $0.6\,V$ है,तो $6 \times 10^{-6}\,m$ चौड़ाई वाले अवक्षय क्षेत्र (depletion region) में विद्युत क्षेत्र की तीव्रता $......\times 10^{5}\,N/C$ होगी।

इस परिपथ में दो विपरीत रूप से जुड़े आदर्श डायोड समानांतर में हैं। परिपथ में प्रवाहित होने वाली धारा क्या है ($A$ में)?

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