यदि एक $p-n$ जंक्शन पर विभव प्राचीर (potential barrier) $0.6\,V$ है,तो $6 \times 10^{-6}\,m$ चौड़ाई वाले अवक्षय क्षेत्र (depletion region) में विद्युत क्षेत्र की तीव्रता $......\times 10^{5}\,N/C$ होगी।

$p-n$ जंक्शन की अवक्षय परत (depletion layer) की $n$-साइड

$P-N$ जंक्शन को फॉरवर्ड बायस में तब कहा जाता है जब

विभिन्न तापमानों पर एक डायोड का अभिलक्षणिक ग्राफ दिखाया गया है। तापमानों के बीच क्या संबंध है?

अनबायस्ड $PN$ जंक्शन के डिप्लीशन ज़ोन (depletion zone) के संबंध में निम्नलिखित में से कौन सा/से कथन सत्य है/हैं?
$(A)$ ज़ोन की चौड़ाई डोपेंट्स (अशुद्धियों) के घनत्व से स्वतंत्र है।
$(B)$ ज़ोन की चौड़ाई डोपेंट्स के घनत्व पर निर्भर करती है।
$(C)$ ज़ोन में विद्युत क्षेत्र आयनित डोपेंट परमाणुओं द्वारा उत्पन्न होता है।
$(D)$ ज़ोन में विद्युत क्षेत्र कंडक्शन बैंड में इलेक्ट्रॉनों और वैलेंस बैंड में होल्स द्वारा प्रदान किया जाता है।

परिपथ में धारा $I$ ($amp$ में) ज्ञात कीजिए।