$P-N$ જંકશન એ ............ છે.

$2\,V$ ની બેટરી ડાયોડને ફોરવર્ડ બાયસ કરે છે. ડાયોડ પર $0.5\,V$ નો ડ્રોપ છે જે પ્રવાહથી સ્વતંત્ર છે. ઉપરાંત,$10\,mA$ કરતા વધારે પ્રવાહ મોટી જૂલ ઉષ્મા ઉત્પન્ન કરે છે અને ડાયોડને નુકસાન પહોંચાડે છે. જો ડાયોડને $5\,mA$ પર ચલાવવાનો હોય,તો શ્રેણીમાં જોડવાનો અવરોધ કેટલો હશે?

આપેલ પરિપથોમાં કયો ડાયોડ ફૉરવર્ડ બાયસમાં છે?

નીચે આપેલા વિધાનો $A$ અને $B$ ને ધ્યાનમાં લો અને આપેલા જવાબોમાંથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો:
$A:$ $P-N$ જંકશન ડાયોડમાં ફોરવર્ડ બાયસમાં ડેપ્લેશન લેયરની પહોળાઈ વધે છે.
$B:$ આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં,ફર્મી એનર્જી લેવલ ફોરબિડન ગેપની બરાબર મધ્યમાં હોય છે.

આપેલ પરિપથમાં બે આદર્શ ડાયોડ બેટરી સાથે જોડાયેલા છે. બેટરી દ્વારા પૂરો પાડવામાં આવતો પ્રવાહ કેટલો છે?

$p-n$ જંકશનમાં ઉદ્ભવતા વિદ્યુતક્ષેત્રની દિશા દર્શાવો.