નીચે આપેલા વિધાનો $A$ અને $B$ ને ધ્યાનમાં લો અને આપેલા જવાબોમાંથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો:
$A:$ $P-N$ જંકશન ડાયોડમાં ફોરવર્ડ બાયસમાં ડેપ્લેશન લેયરની પહોળાઈ વધે છે.
$B:$ આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં,ફર્મી એનર્જી લેવલ ફોરબિડન ગેપની બરાબર મધ્યમાં હોય છે.

  • A
    $A$ સાચું છે અને $B$ ખોટું છે.
  • B
    $A$ અને $B$ બંને ખોટા છે.
  • C
    $A$ ખોટું છે અને $B$ સાચું છે.
  • D
    $A$ અને $B$ બંને સાચા છે.

Explore More

Similar Questions

નીચે આપેલા પરિપથમાં પ્રવાહ કેટલો હશે?

એક સિલિકોન ડાયોડ માટે $100\, mA$ ના ફોરવર્ડ $DC$ પ્રવાહ માટે ફોરવર્ડ વોલ્ટેજ ડ્રોપ $1.2\, V$ છે. $10\, V$ ના રિવર્સ વોલ્ટેજ માટે તેનો રિવર્સ પ્રવાહ $1\times10^{-6}\, A$ છે. તો ડાયોડનો બલ્ક અને રિવર્સ અવરોધ કેટલો હશે?

$PN$ જંકશન ડાયોડમાં રિવર્સ બાયસિંગ

જ્યારે $P-N$ જંકશન ફોરવર્ડ બાયસમાં હોય,ત્યારે નીચેનામાંથી શું સાચું છે?

ફોરવર્ડ બાયસ્ડ ડાયોડ જોડાણ કયું છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo