ધારો કે શુદ્ધ $Si$ સ્ફટિકમાં $5 \times 10^{28}$ અણુઓ $m^{-3}$ છે. તેને $1 \text{ ppm}$ સાંદ્રતા ધરાવતા પંચસંયોજક $As$ વડે ડોપિંગ કરવામાં આવે છે. ઈલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા ગણો. $(n_i = 1.5 \times 10^{16} \text{ m}^{-3})$

$p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં લઘુમતી વાહકો કયા છે?

શુદ્ધ $Ge$ માટે આંતરિક વાહક ઘનતા $10^{19} \ m^{-3}$ છે. જો $10^{23} \ m^{-3}$ ઘનતા ધરાવતી દાતા અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે,તો હોલની ઘનતા ($m^{-3}$ માં) કેટલી થશે?

આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં વિદ્યુત વહન કેવી રીતે ઉત્પન્ન થાય છે?

નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

જર્મેનિયમ ક્રિસ્ટલ પ્લેટની સપાટીઓ પર $2.5 \,V$ નો પોટેન્શિયલ તફાવત લાગુ કરવામાં આવે છે. ક્રિસ્ટલનું ક્ષેત્રફળ $1 \,cm^2$ છે અને તેની જાડાઈ $1.0 \,mm$ છે. જર્મેનિયમમાં મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $2 \times 10^{19} \,m^{-3}$ છે અને ઇલેક્ટ્રોન તથા હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $0.33 \,m^2/V \cdot s$ અને $0.17 \,m^2/V \cdot s$ છે. પ્લેટમાંથી વહેતો પ્રવાહ .......... $A$ હશે.