શુદ્ધ $Ge$ માટે આંતરિક વાહક ઘનતા $10^{19} \ m^{-3}$ છે. જો $10^{23} \ m^{-3}$ ઘનતા ધરાવતી દાતા અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે,તો હોલની ઘનતા ($m^{-3}$ માં) કેટલી થશે?

શુદ્ધ સિલિકોનમાં $T = 300 \ K$ તાપમાને ઈલેક્ટ્રોન-હોલ સાંદ્રતા $7 \times 10^{15} \ m^{-3}$ છે. એન્ટિમનીને સિલિકોનમાં $10^7 \ Si$ પરમાણુ દીઠ $1$ પરમાણુના દરે અશુદ્ધિ તરીકે ઉમેરવામાં આવે છે. ધારો કે અડધા અશુદ્ધિ પરમાણુઓ તેમના ઈલેક્ટ્રોન કન્ડકશન બેન્ડમાં આપે છે. ભાર વાહકોની સંખ્યામાં થતો વધારો દર્શાવતો ઘટક શોધો. આપેલ છે: સિલિકોન પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા $5 \times 10^{28} \ m^{-3}$ છે.

અર્ધવાહકની અવરોધકતા $(\rho)$ નો તાપમાન $(T)$ પરનો આધાર નીચેનામાંથી કયા આલેખ દ્વારા દર્શાવવામાં આવે છે?

એક સેમિકન્ડક્ટરની ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $\mu_{n}$ અને $\mu_{p}$ છે. જો તેની આંતરિક કેરિયર ઘનતા $n_{i}$ હોય,તો આપેલ તાપમાને વાહકતા ન્યૂનતમ હોય તે માટે હોલ સાંદ્રતા $p$ નું મૂલ્ય શું હશે?

સિલિકોન એક અર્ધવાહક છે. જો તેમાં $As$ ની થોડી માત્રા ઉમેરવામાં આવે,તો તેની વિદ્યુત વાહકતા . . . . . . .

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોનમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સમાન સાંદ્રતા $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. જો હોલની સાંદ્રતા વધીને $3 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય,તો સિલિકોનમાં ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા કેટલી હશે?