$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઈલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન છે અને તે $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. જો ઈન્ડિયમના ડોપિંગ પછી હોલની સાંદ્રતા $(n_h)$ વધીને $3 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય,તો ડોપ્ડ $Si$ માં ઈલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા $(n_e)$ ગણો.

• A
  $3.5 \times 10^5 \ m^{-3}$
• B
  $7.5 \times 10^9 \ m^{-3}$
• C
  $2.5 \times 10^{-9} \ m^{-3}$
• D
  $5.5 \times 10^{12} \ m^{-3}$