$Ge$ का फॉरबिडन एनर्जी गैप $0.75 \ eV$ है। $Ge$ अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन-होल युग्म उत्पन्न करने के लिए आपतित फोटॉन विकिरण की अधिकतम तरंगदैर्ध्य ........... $\mathring{A}$ होनी चाहिए।

यदि एक $p-n$ जंक्शन पर विभव प्राचीर (potential barrier) $0.6\,V$ है,तो $6 \times 10^{-6}\,m$ चौड़ाई वाले अवक्षय क्षेत्र (depletion region) में विद्युत क्षेत्र की तीव्रता $......\times 10^{5}\,N/C$ होगी।

यदि एक अर्धचालक डायोड में अग्र वोल्टेज (forward voltage) को दोगुना कर दिया जाए,तो अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई

दिए गए परिपथ में,$P-N$ जंक्शन डायोड के सिरों के बीच वोल्टेज धारा पर निर्भर किए बिना $0.5 \ V$ पर स्थिर रहता है। डायोड की अधिकतम शक्ति रेटिंग $100 \ mW$ है। परिपथ में अधिकतम धारा प्राप्त करने के लिए $R$ का मान $\Omega$ में क्या होना चाहिए?

यदि नीचे दिए गए परिपथ में डायोड आदर्श हैं,तो सेल से होकर बहने वाली धारा क्या है ($A$ में)?

दिए गए परिपथों में कौन सा डायोड फॉरवर्ड बायस में है?