એક અર્ધવાહકમાં ઈલેક્ટ્રોન અને હોલની આંતરિક સાંદ્રતા $6 \times 10^8 \ m^{-3}$ છે. કેટલીક અશુદ્ધિ ઉમેર્યા પછી,ઈલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા વધીને $9 \times 10^{12} \ m^{-3}$ થાય છે. નવા હોલની સાંદ્રતા શોધો.

વિધાન: ઓરડાના તાપમાને $p-$ પ્રકારના સિલિકોન સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા શુદ્ધ સિલિકોન સેમિકન્ડક્ટર કરતા ઓછી હોય છે.
કારણ: આ દ્રવ્યમાન ક્રિયાના નિયમ (law of mass action) ને કારણે છે.

જો એક સેમિકન્ડક્ટરની આંતરિક કેરિયર સાંદ્રતા $1.41 \times 10^{16} \, m^{-3}$ હોય,અને તેને $10^{21} \, m^{-3}$ ફોસ્ફરસ સાથે ડોપ કરવામાં આવે,તો ઓરડાના તાપમાને હોલ્સની સાંદ્રતા કેટલી હશે?

$p-$ પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં, નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

$m^{3}$ દીઠ સિલિકોન પરમાણુઓની સંખ્યા $5 \times 10^{28}$ છે. આમાં $5 \times 10^{22}$ પરમાણુઓ પ્રતિ $m^{3}$ આર્સેનિક અને $5 \times 10^{20}$ પરમાણુઓ પ્રતિ $m^{3}$ ઇન્ડિયમનું એકસાથે ડોપિંગ કરવામાં આવે છે. ઇલેક્ટ્રોન અને હોલ્સની સંખ્યાની ગણતરી કરો. આપેલ છે કે $n_{i} = 1.5 \times 10^{16} \; m^{-3}$. શું આ પદાર્થ $n$-ટાઈપ છે કે $p$-ટાઈપ?

એક અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા અને હોલની સંખ્યાનો ગુણોત્તર $7/5$ છે અને તેમના પ્રવાહનો ગુણોત્તર $7/4$ છે,તો તેમના ડ્રિફ્ટ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?