વિધાન: ઓરડાના તાપમાને $p-$ પ્રકારના સિલિકોન સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા શુદ્ધ સિલિકોન સેમિકન્ડક્ટર કરતા ઓછી હોય છે.
કારણ: આ દ્રવ્યમાન ક્રિયાના નિયમ (law of mass action) ને કારણે છે.

  • A
    જો વિધાન અને કારણ બંને સાચા છે અને કારણ એ વિધાનની સાચી સમજૂતી છે.
  • B
    જો વિધાન અને કારણ બંને સાચા છે પરંતુ કારણ એ વિધાનની સાચી સમજૂતી નથી.
  • C
    જો વિધાન સાચું છે પરંતુ કારણ ખોટું છે.
  • D
    જો વિધાન અને કારણ બંને ખોટા છે.

Explore More

Similar Questions

સિલિકોન અથવા જર્મેનિયમ માટે તત્વરૂપી ડોપન્ટ્સ સામાન્ય રીતે સમૂહ $XIII$ અથવા સમૂહ $XV$ માંથી શા માટે પસંદ કરવામાં આવે છે?

આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટર માટે, જો $n_h$ અને $n_e$ અનુક્રમે એકમ કદ દીઠ હોલ્સની સંખ્યા અને એકમ કદ દીઠ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા દર્શાવતા હોય, તો:

$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકો કયા અશુદ્ધિ તત્વને ઉમેરીને બનાવવામાં આવે છે?

$p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં,

જ્યારે $Ge$ સ્ફટિકોમાં ફોસ્ફરસ પરમાણુઓનું ડોપિંગ કરવામાં આવે છે,ત્યારે તે શું બને છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo