$p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં,

  • A
    હોલ (holes) મેજોરિટી કેરિયર્સ છે અને ટ્રાયવેલેન્ટ અણુઓ ડોપન્ટ્સ છે.
  • B
    ઇલેક્ટ્રોન માઇનોરિટી કેરિયર્સ છે અને પેન્ટાવેલેન્ટ અણુઓ ડોપન્ટ્સ છે.
  • C
    ઇલેક્ટ્રોન મેજોરિટી કેરિયર્સ છે અને પેન્ટાવેલેન્ટ અણુઓ ડોપન્ટ્સ છે.
  • D
    હોલ (holes) માઇનોરિટી કેરિયર્સ છે અને ટ્રાયવેલેન્ટ અણુઓ ડોપન્ટ્સ છે.

Explore More

Similar Questions

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન સ્ફટિકમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા સમાન $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_h = 4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. તો ડોપ્ડ સિલિકોનમાં $n_e$ કેટલું હશે?

ધારો કે $n_e$ એ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા છે અને $v_d$ એ ડ્રિફ્ટ વેગ છે. જ્યારે તાપમાન વધારવામાં આવે ત્યારે:

ઓરડાના તાપમાને આંતરિક સિલિકોનના સ્ફટિકમાં કેરિયર સાંદ્રતા $1.6 \times 10^{16} / m^3$ છે. જો ડોનર સાંદ્રતાનું સ્તર $4.8 \times 10^{20} / m^3$ હોય, તો સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ્સની સાંદ્રતા કેટલી હશે?

સેમિકન્ડક્ટરનું ડોપિંગ (નાના અશુદ્ધિ પરમાણુઓ સાથે) સામાન્ય રીતે અવરોધકતામાં નીચે મુજબ ફેરફાર કરે છે.

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન ક્રિસ્ટલની વાહકતા કેટલી હશે? પ્રતિ $cm^3$ ઈલેક્ટ્રોન-હોલ જોડકાંની સંખ્યા $1.072 \times 10^{10}$ છે. આપેલ છે: $\mu_n = 1350 \ cm^2/V \cdot s$ અને $\mu_p = 480 \ cm^2/V \cdot s$.

Difficult
View Solution

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo