ધારો કે $n_e$ એ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા છે અને $v_d$ એ ડ્રિફ્ટ વેગ છે. જ્યારે તાપમાન વધારવામાં આવે ત્યારે:

$500 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોન સંખ્યા-ઘનતા $(n_e)$ અને હોલ સંખ્યા-ઘનતા $(n_h)$ સમાન છે,જે $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. હવે,તેમાં ઇન્ડિયમ અશુદ્ધિ ઉમેરતાં હોલ ઘનતા $(n_h)$ વધીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. આ અશુદ્ધિ ઉમેરેલ અર્ધવાહક ...

$n$-પ્રકાર અને $p$-પ્રકારના અર્ધવાહક શુદ્ધ સિલિકોનમાં અનુક્રમે કોનું ડોપિંગ (doping) કરીને મેળવી શકાય છે?

જો એક સેમિકન્ડક્ટરની આંતરિક કેરિયર સાંદ્રતા $1.41 \times 10^{16} \, m^{-3}$ હોય,અને તેને $10^{21} \, m^{-3}$ ફોસ્ફરસ સાથે ડોપ કરવામાં આવે,તો ઓરડાના તાપમાને હોલ્સની સાંદ્રતા કેટલી હશે?

ઓરડાના તાપમાને આંતરિક $Ge$ ના નમૂનામાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $0.35 \, m^2/V-s$ અને $0.18 \, m^2/V-s$ છે. જો ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની ઘનતા દરેક $2.5 \times 10^{19} \, /m^3$ જેટલી હોય,તો $Ge$ ની વાહકતા.....$S/m$ થશે. ($.12$ માં)

ધારો કે એક શુદ્ધ $Si$ સ્ફટિકમાં $5 \times 10^{28}$ પરમાણુઓ $m^{-3}$ છે. તેને $1$ ppm સાંદ્રતા ધરાવતા પેન્ટાવેલેન્ટ $As$ વડે ડોપ કરવામાં આવે છે. હોલ્સની સંખ્યાની ગણતરી કરો. આપેલ છે કે $n_i = 1.5 \times 10^{16} m^{-3}$.