$500 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોન સંખ્યા-ઘનતા $(n_e)$ અને હોલ સંખ્યા-ઘનતા $(n_h)$ સમાન છે,જે $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. હવે,તેમાં ઇન્ડિયમ અશુદ્ધિ ઉમેરતાં હોલ ઘનતા $(n_h)$ વધીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. આ અશુદ્ધિ ઉમેરેલ અર્ધવાહક ...

  • A
    $P$-પ્રકારનો અર્ધવાહક છે,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સંખ્યા-ઘનતા $n_e = 5 \times 10^9 \ m^{-3}$ હશે.
  • B
    $N$-પ્રકારનો અર્ધવાહક છે,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સંખ્યા-ઘનતા $n_e = 5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ હશે.
  • C
    $P$-પ્રકારનો અર્ધવાહક છે,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સંખ્યા-ઘનતા $n_e = 2.5 \times 10^{10} \ m^{-3}$ હશે.
  • D
    $N$-પ્રકારનો અર્ધવાહક છે,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સંખ્યા-ઘનતા $n_e = 2.5 \times 10^{23} \ m^{-3}$ હશે.

Explore More

Similar Questions

નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

$500\, K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઇલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સમાન સાંદ્રતા $1.5 \times 10^{16}\, m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_h$ વધીને $4.5 \times 10^{22}\, m^{-3}$ થાય છે. તો આ ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટર કેવા પ્રકારનું છે?

Difficult
View Solution

બાહ્ય (extrinsic) સેમિકન્ડક્ટર માટે,જ્યારે ડોપિંગનું સ્તર વધારવામાં આવે છે ત્યારે:

ઇન્ટ્રિન્સિક (શુદ્ધ) અને એક્સટ્રિન્સિક (અશુદ્ધ) સેમિકન્ડક્ટર વચ્ચેનો તફાવત લખો.

$n$-પ્રકાર અને $p$-પ્રકારના અર્ધવાહક શુદ્ધ સિલિકોનમાં અનુક્રમે કોનું ડોપિંગ (doping) કરીને મેળવી શકાય છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo