$500\, K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઇલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સમાન સાંદ્રતા $1.5 \times 10^{16}\, m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_h$ વધીને $4.5 \times 10^{22}\, m^{-3}$ થાય છે. તો આ ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટર કેવા પ્રકારનું છે?

  • A
    $p-$ પ્રકારનું,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 5 \times 10^9\, m^{-3}$ છે
  • B
    $n-$ પ્રકારનું,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 5 \times 10^{22}\, m^{-3}$ છે
  • C
    $p-$ પ્રકારનું,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 2.5 \times 10^{10}\, m^{-3}$ છે
  • D
    $n-$ પ્રકારનું,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 2.5 \times 10^{23}\, m^{-3}$ છે

Explore More

Similar Questions

$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકમાં ફોરબિડન ગૅપમાં વેલેન્સ બૅન્ડની નજીક જે ઊર્જાસ્તર બને છે,તેને ...

ઓરડાના તાપમાને આંતરિક સિલિકોનના સ્ફટિકમાં કેરિયર સાંદ્રતા $1.6 \times 10^{16} / m^3$ છે. જો ડોનર સાંદ્રતાનું સ્તર $4.8 \times 10^{20} / m^3$ હોય, તો સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ્સની સાંદ્રતા કેટલી હશે?

$n$-પ્રકાર અને $p$-પ્રકારના સિલિકોન સેમિકન્ડક્ટર શુદ્ધ સિલિકોનમાં નીચેનામાંથી કયા તત્વો ઉમેરીને મેળવી શકાય છે?

આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં ડોપિંગ શા માટે કરવામાં આવે છે?

$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકમાં, એક્સેપ્ટર લેવલ વેલેન્સ બેન્ડની ઉપર $57 \, meV$ પર છે। હોલ ઉત્પન્ન કરવા માટે જરૂરી પ્રકાશની તરંગલંબાઇ $\mathring{A}$ માં કેટલી હશે? (આપેલ છે: $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J \cdot s$, $c = 3 \times 10^8 \, m/s$, $1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J$)

Difficult
View Solution

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo