500, K पर शुद्ध Si में इलेक्ट्रॉन (n_e) और हो | vedclass

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Question

(A) जब $Si$ या $Ge$ को इंडियम $(In)$ जैसी त्रिसंयोजी अशुद्धि के साथ डोप किया जाता है,तो $p-$ प्रकार का अर्धचालक प्राप्त होता है।दिया गया है:आंतरिक वाह

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$p-$ प्रकार,जिसमें इलेक्ट्रॉन सांद्रता $n_e = 5 	imes 10^9\, m^{-3}$ है

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(A) जब $Si$ या $Ge$ को इंडियम $(In)$ जैसी त्रिसंयोजी अशुद्धि के साथ डोप किया जाता है,तो $p-$ प्रकार का अर्धचालक प्राप्त होता है।दिया गया है:आंतरिक वाहक सांद्रता,$n_i = 1.5 	imes 10^{16}\, m^{-3}$नई होल सांद्रता,$n_h = 4.5 	imes 10^{22}\, m^{-3}$अर्धचालकों के लिए द्रव्यमान क्रिया के नियम का उपयोग करते हुए:$n_e \cdot n_h = n_i^2$मान रखने पर:$n_e = \frac{n_i^2}{n_h} = \frac{(1.5 	imes 10^{16})^2}{4.5 	imes 10^{22}}$$n_e = \frac{2.25 	imes 10^{32}}{4.5 	imes 10^{22}}$$n_e = 0.5 	imes 10^{10} = 5 	imes 10^9\, m^{-3}$चूंकि $n_h > n_e$ है,इसलिए यह अर्धचालक $p-$ प्रकार का है।

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