ઓરડાના તાપમાને આંતરિક $Ge$ ના નમૂનામાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $0.35 \, m^2/V-s$ અને $0.18 \, m^2/V-s$ છે. જો ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની ઘનતા દરેક $2.5 \times 10^{19} \, /m^3$ જેટલી હોય,તો $Ge$ ની વાહકતા.....$S/m$ થશે. ($.12$ માં)

એક સેમિકન્ડક્ટરમાં,ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા અનુક્રમે $8 \times 10^{18} \, m^{-3}$ અને $5 \times 10^{18} \, m^{-3}$ છે. જો ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $2.3 \, m^2/V \cdot s$ અને $0.01 \, m^2/V \cdot s$ હોય,તો સેમિકન્ડક્ટર કયા પ્રકારનું છે?

જર્મેનિયમ ક્રિસ્ટલ પ્લેટની સપાટીઓ પર $2.5 \,V$ નો પોટેન્શિયલ તફાવત લાગુ કરવામાં આવે છે. ક્રિસ્ટલનું ક્ષેત્રફળ $1 \,cm^2$ છે અને તેની જાડાઈ $1.0 \,mm$ છે. જર્મેનિયમમાં મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $2 \times 10^{19} \,m^{-3}$ છે અને ઇલેક્ટ્રોન તથા હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $0.33 \,m^2/V \cdot s$ અને $0.17 \,m^2/V \cdot s$ છે. પ્લેટમાંથી વહેતો પ્રવાહ .......... $A$ હશે.

એક અર્ધવાહકમાં ઈલેક્ટ્રોન અને હોલની આંતરિક સાંદ્રતા $6 \times 10^8 \ m^{-3}$ છે. કેટલીક અશુદ્ધિ ઉમેર્યા પછી,ઈલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા વધીને $9 \times 10^{12} \ m^{-3}$ થાય છે. નવા હોલની સાંદ્રતા શોધો.

જો $N_h$ અને $N_e$ એ બાહ્ય (extrinsic) અર્ધવાહકમાં અનુક્રમે હોલ અને વાહક ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા હોય,તો:

શુદ્ધ જર્મેનિયમના નમૂનામાં એન્ટિમનીના પરમાણુઓ ઉમેરવાથી તે કેવા પ્રકારના પદાર્થમાં રૂપાંતરિત થાય છે?