$p$-प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) में,

जर्मेनियम में एल्युमीनियम की सांद्रता $\sim 10^{21} \text{ atoms}/m^3$ है। शुद्ध अर्धचालक में आंतरिक वाहक सांद्रता $\sim 10^{19} /m^3$ है। अशुद्धि मिलाने के बाद,इलेक्ट्रॉन की सांद्रता क्या होगी?

अर्धचालक (semiconductor) में आवेश वाहकों (charge carriers) के पुनर्संयोजन (recombination) या उत्पादन (generation) की दर किस नियम (नियमों) द्वारा शासित होती है?

अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता (mobility) को उनके अनुगमन वेग (drift velocity) और लागू विद्युत क्षेत्र के अनुपात के रूप में परिभाषित किया जाता है। यदि एक $n$-प्रकार के अर्धचालक के लिए,इलेक्ट्रॉनों का घनत्व $10^{19} \ m^{-3}$ है और उनकी गतिशीलता $1.6 \ m^2/(V \cdot s)$ है,तो अर्धचालक की प्रतिरोधकता (चूंकि यह एक $n$-प्रकार का अर्धचालक है,होल्स के योगदान को नजरअंदाज किया गया है) ................ $\Omega \cdot m$ के करीब है।

एक सिलिकॉन नमूने को $p$-प्रकार के अर्धचालक में बदलने के लिए,औसतन प्रति $5 \times 10^7$ सिलिकॉन परमाणुओं में एक इंडियम परमाणु मिलाया जाता है। यदि सिलिकॉन नमूने में परमाणुओं का संख्या घनत्व $5 \times 10^{28} \text{ atoms } m^{-3}$ है,तो सिलिकॉन में प्रति घन सेंटीमीटर स्वीकारक (acceptor) परमाणुओं की संख्या क्या होगी?

$P$-प्रकार के अर्धचालक में बहुसंख्यक और अल्पसंख्यक आवेश वाहक क्रमशः होते हैं: