$5.5 \ eV$ ઊર્જાવાળો ફોટોન એવી સપાટી પર આપાત થાય છે જે $4.0 \ eV$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા ધરાવતા ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. આ ઇલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ............ $V$ છે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,$I$ તીવ્રતા અને $f$ આવૃત્તિ ધરાવતા પ્રકાશ દ્વારા ધાતુઓ $X$ અને $Y$ માંથી ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. ઈલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી સ્થિતિમાનનો તફાવત $V$ વિવિધ આવૃત્તિઓ માટે માપવામાં આવે છે. જો $Y$ નું કાર્ય વિધેય $X$ કરતા વધારે હોય,તો નીચેનામાંથી કયો આલેખ અપેક્ષિત પરિણામોને શ્રેષ્ઠ રીતે દર્શાવે છે?

એક ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય $1.6 \times 10^{-19} \text{ J}$ છે. જ્યારે આ સપાટી પર $6400 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ....... $\text{J}$ છે.

એક ફોટો-એમિસિવ પદાર્થને $\lambda_i$ તરંગલંબાઈના વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે જેથી તે $\lambda_e$ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોન મુક્ત કરે છે. ફોટોઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરી શકે તેવી વિકિરણની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ $\lambda_0$ છે. ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_e$ માટેનું સૂત્ર શું છે? ($m = \text{ઇલેક્ટ્રોનનું દળ}$, $h = \text{પ્લાન્કનો અચળાંક}$, $c = \text{પ્રકાશની ઝડપ}$):

$2 \text{ eV}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર આપાત થતો ફોટોન $2 \text{ eV}$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરે છે। ફોટોન સાથે સંકળાયેલ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે ($\text{ Å}$ માં)?

ધાતુઓ $A, B$ અને $C$ માટે વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) અનુક્રમે $1.92 eV, 2.0 eV$ અને $5 eV$ છે. આઈન્સ્ટાઈનના ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ મુજબ,$4100 \mathring{A}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણ માટે કઈ ધાતુઓ ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરશે?