ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,$I$ તીવ્રતા અને $f$ આવૃત્તિ ધરાવતા પ્રકાશ દ્વારા ધાતુઓ $X$ અને $Y$ માંથી ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. ઈલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી સ્થિતિમાનનો તફાવત $V$ વિવિધ આવૃત્તિઓ માટે માપવામાં આવે છે. જો $Y$ નું કાર્ય વિધેય $X$ કરતા વધારે હોય,તો નીચેનામાંથી કયો આલેખ અપેક્ષિત પરિણામોને શ્રેષ્ઠ રીતે દર્શાવે છે?

ધાતુઓ $A$,$B$,$C$ અને $D$ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલનો આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ સાથેનો ફેરફાર આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. કઈ ધાતુ માટે,જો થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $(\nu_o)$ ઓછી હોય,તો આપાત વિકિરણની નિશ્ચિત આવૃત્તિ $(v)$ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ વધારે હશે?

બે અલગ-અલગ આવૃત્તિઓ ધરાવતો પ્રકાશ,જેના ફોટોનની ઊર્જા અનુક્રમે $1.3 eV$ અને $2.8 eV$ છે,તે $0.8 eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

નિયોન લેમ્પમાંથી $640.2 \;nm$ $(1 \;nm = 10^{-9} \;m)$ તરંગલંબાઈ ધરાવતું એકવર્ણી વિકિરણ ટંગસ્ટન પર સીઝિયમથી બનેલી પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટી પર આપાત થાય છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.54 \;V$ માપવામાં આવે છે. સ્ત્રોતને બદલીને આયર્ન સ્ત્રોત મૂકવામાં આવે છે અને તેની $427.2 \;nm$ ની રેખા તે જ ફોટો-સેલ પર આપાત થાય છે. નવું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ($V$ માં) શોધો. ($;V$ માં)

$E = 60 \sin(3 \times 10^{15} t) + \sin(12 \times 10^{15} t)$ ($SI$ એકમોમાં) દ્વારા વર્ણવેલ પ્રકાશ તરંગ $2.8 \text{ eV}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર પડે છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા (આશરે) . . . . . . $\text{eV}$ છે.

ટંગસ્ટન પર સિઝિયમની બનેલી ફોટો સંવેદી સપાટીને નિયોન બલ્બમાંથી $640.2 \ nm$ $(1 \ nm = 10^{-9} \ m)$ તરંગલંબાઈના એકવર્ણી વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. માપવામાં આવેલ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.54 \ V$ છે. જો આ સ્ત્રોતને બદલીને સમાન ફોટોસેલ પર $427.2 \ nm$ ની રેખા વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો નવું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલા $V$ હશે?