બે અલગ-અલગ આવૃત્તિઓ ધરાવતો પ્રકાશ,જેના ફોટોનની ઊર્જા અનુક્રમે $1.3 eV$ અને $2.8 eV$ છે,તે $0.8 eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

ધાતુની સપાટી $400 \ nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. બહાર આવતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા $1.68 \ eV$ માલૂમ પડે છે. તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) ......... $eV$ છે. $(hc = 1240 \ eV \cdot nm)$

$600 \,nm$ અને $200 \,nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા બે પ્રકાશના તરંગો એક ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. એક તરંગલંબાઈને કારણે ઉત્પન્ન થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ બીજી તરંગલંબાઈને કારણે ઉત્પન્ન થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગ કરતા $\frac{1}{3}$ ગણો છે,તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે?

$1.07 \ eV$ વર્કફંકશન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $332 \ nm$ તરંગલંબાઈવાળું વિકિરણ આપાત કરવામાં આવે છે. ધાતુની સપાટીમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રૉનનું ઉત્સર્જન અટકાવવા માટે જરૂરી સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ............ $V$ છે. $(h = 6.6 \times 10^{-34} \ Js, c = 3 \times 10^8 \ m/s, 1 \ eV = 1.6 \times 10^{-19} \ J)$

એક પદાર્થ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5500\,\mathring A$ છે. જ્યારે આ પદાર્થને નીચેનામાંથી કયા એકવર્ણી વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થશે:
$A.$ $75\,W$ ઇન્ફ્રારેડ લેમ્પ
$B.$ $10\,W$ ઇન્ફ્રારેડ લેમ્પ
$C.$ $75\,W$ અલ્ટ્રા-વાયોલેટ લેમ્પ
$D.$ $10\,W$ અલ્ટ્રા-વાયોલેટ લેમ્પ
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં ઉત્તેજિત તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v$ છે. જો ઉત્તેજિત તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ કેટલી હશે?