ધાતુની સપાટી $400 \ nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. બહાર આવતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા $1.68 \ eV$ માલૂમ પડે છે. તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) ......... $eV$ છે. $(hc = 1240 \ eV \cdot nm)$

પ્રકાશસંવેદી પદાર્થ પર આપાત થતા પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $(K.E.)$ કેટલી થશે?

જો ફોટોસેલથી $0.2 \ m$ અંતરે રાખેલા ઉદ્ગમ દ્વારા ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ $0.6 \ V$ હોય,તો તે જ ઉદ્ગમને $0.6 \ m$ અંતરે રાખતા ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ .......... $V$ થશે.

આપેલ આલેખમાં બે અલગ-અલગ ધાતુઓ '$P$' અને '$Q$' માટે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(\nu)$ વિરુદ્ધ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_{s})$ નો આલેખ દર્શાવેલ છે. જો $\phi_{P}$ અને $\phi_{Q}$ એ અનુક્રમે '$P$' અને '$Q$' ધાતુઓના વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) હોય,તો નીચેનામાંથી કયું સાચું છે?

$2.4 \text{ eV}$ ઉર્જા અને $\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા ફોટોન એક ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય છે અને $v$ મહત્તમ વેગ સાથે ફોટોઇલેક્ટ્રોન મુક્ત કરે છે। $\lambda$ માં $50 \%$ ઘટાડો કરવાથી, ફોટોઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $3 v$ થાય છે। ધાતુની પ્લેટના દ્રવ્યનું કાર્ય વિધેય (work function) કેટલું હશે ($\text{ eV}$ માં)?

ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $4.8 \ m/s$ છે. જો ઈલેક્ટ્રોનનો $e/m$ ગુણોત્તર $1.76 \times 10^{11} \ C/kg$ હોય,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ...... છે.