એક પદાર્થનું કાર્ય વિધેય $4.0 \ eV$ છે. પ્રકાશની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ કે જે આ પદાર્થમાંથી ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરાવી શકે,તેનું આશરે મૂલ્ય ............ $nm$ છે.

જ્યારે કોઈ ચોક્કસ ધાતુની સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશથી પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $2\lambda$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશથી પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $\frac{V}{3}$ છે. સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈમાં $50 \%$ નો ઘટાડો કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રારંભિક મહત્તમ ગતિઊર્જા કરતા $3$ ગણી થાય છે. પદાર્થનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) શોધો ($h$ - પ્લાન્કનો અચળાંક,$c$ - શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ).

જ્યારે '$\lambda$' તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ સપાટી પર આપાત થાય છે, ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ '$V$' છે. જ્યારે $1.5\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ તે જ સપાટી પર આપાત થાય છે, ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ '$\frac{V}{4}$' છે. સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ શોધો.

સીઝિયમનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.14 \ eV$ છે. જો ફોટોકરન્ટને $0.60 \ V$ ના સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ દ્વારા શૂન્ય કરવામાં આવે, તો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ શોધો.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં, જો આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $v_1$ હોય, તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $(K.E.)$ $K_0$ છે. જો પ્રકાશની આવૃત્તિ $v_2$ હોય, તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $2K_0$ થાય છે. નીચેનામાંથી કયો સંબંધ સાચો છે?