ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં, જો આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $v_1$ હોય, તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $(K.E.)$ $K_0$ છે. જો પ્રકાશની આવૃત્તિ $v_2$ હોય, તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $2K_0$ થાય છે. નીચેનામાંથી કયો સંબંધ સાચો છે?

$5000 \ \mathring A$ તરંગલંબાઈ અને $4.68 \ mW/cm^2$ તીવ્રતા ધરાવતો પ્રકાશ એક પ્રકાશ-સંવેદી સપાટી પર આપાત થાય છે. જો આપાત ફોટોનમાંથી માત્ર $5\%$ ફોટોન ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરતા હોય,તો એકમ સમયમાં એકમ ક્ષેત્રફળ દીઠ ઉત્સર્જિત થતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા કેટલી હશે?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં $310 \,nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ વપરાય છે. પ્રયોગમાં $2.5 \,eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતા ધાતુના ઈલેક્ટ્રોડનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($V$ માં)? (ધારો કે $hc = 1240 \,eV-nm$)

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,ધાતુ પર આપાત થતા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $300\, nm$ થી બદલીને $400\, nm$ કરવામાં આવે છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ઘટાડો આશરે ................ $V$ છે $\left( \frac{hc}{e} = 1240\, nm \cdot V \right)$

$4 \times 10^{14} \,Hz$ આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ $2.14 \,eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે। ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા કેટલી હશે ($\,eV$ માં)? $\left[h=6.63 \times 10^{-34} \,J-s\right]$

$W_{0}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર જ્યારે '$E$' ઊર્જાના ફોટોન આપાત થાય છે ત્યારે તે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. ઇલેક્ટ્રોન લંબ દિશામાં સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્ર '$B$' માં પ્રવેશ કરે છે અને '$r$' ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર માર્ગ પર ગતિ કરે છે. તો '$r$' બરાબર શું થાય? (જ્યાં '$m$' અને '$e$' અનુક્રમે ઇલેક્ટ્રોનનું દળ અને વિદ્યુતભાર છે).