ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર માટે સ્ટૉપિંગ પોટૅન્શિયલ $(V_0)$ વિરુદ્ધ આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(f)$ નો આલેખ .......... હોય છે.

$5.5 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,જે $4.0 \ eV$ ની મહત્તમ ગતિજ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. આ ઈલેક્ટ્રોન માટે જરૂરી સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ .......... $V$ છે.

એક ધાતુની સપાટી પરથી આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિઓ $v_1$ અને $v_2$ $(v_1 > v_2)$ માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન જોવા મળે છે. બંને કિસ્સાઓમાં ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1:x$ છે. તેથી,ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

કોઈ બિંદુએ વિદ્યુતક્ષેત્રનું તરંગ સમીકરણ $E = 100 \frac{V}{m} [\sin(7 \omega t) + \cos(10 \omega t) + \cos(15 \omega t)]$ છે. જો ફોટોસેલનું કાર્ય વિધેય $\phi$ હોય,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે?

જ્યારે ${\lambda _1}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો ફોટોન ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત સૌથી ઝડપી ઈલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v_1 \ m/s$ છે. જો ${\lambda _2}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો ફોટોન તે જ ધાતુ પર આપાત થાય,તો ઉત્સર્જિત સૌથી ઝડપી ઈલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v_2 \ m/s$ છે. $v_2^2 - v_1^2$ નું મૂલ્ય કેટલું થશે?

$eV_0 - \nu$ આલેખનો ઢાળ લખો.