$2 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $3.4 \ eV$ ઊર્જા ધરાવતો ફોટોન આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ-ઊર્જા .......... $eV$ છે.

આ પ્રશ્નમાં વિધાન $1$ અને વિધાન $2$ આપેલ છે. વિધાનો પછી આપેલા ચાર વિકલ્પોમાંથી,જે બે વિધાનોનું શ્રેષ્ઠ વર્ણન કરે છે તે પસંદ કરો.
વિધાન $1:$ એક ધાતુની સપાટી પર $v > v_0$ (થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ) આવૃત્તિ ધરાવતો એકવર્ણી પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે. જો આપાત આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોકરંટ અને મહત્તમ ગતિઊર્જા પણ બમણી થાય છે.
વિધાન $2:$ સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ પર રેખીય રીતે આધાર રાખે છે. ફોટોકરંટ માત્ર આપાત પ્રકાશની તીવ્રતા પર આધાર રાખે છે.

$5 \, mW$ તીવ્રતા ધરાવતો એક મોનોક્રોમેટિક પ્રકાશ સ્ત્રોત પ્રતિ સેકન્ડ $8 \times 10^{15}$ ફોટોન ઉત્સર્જિત કરે છે. આ પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પરથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. આ સેટઅપ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $2.0 \, V$ છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન ............ $eV$ હશે. ($.9$ માં)

આપેલ છે કે $10,000\;\mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશના ફોટોનની ઉર્જા $1.23\; eV$ છે. જ્યારે $5000\;\mathring A$ તરંગલંબાઈ અને $I_0$ તીવ્રતા ધરાવતો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલ પર પડે છે,ત્યારે સેચ્યુરેશન કરંટ $0.40 \times 10^{-6}\; A$ અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.36\; V$ છે; તો વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) ..... $eV$ છે.

જ્યારે પ્રકાશના સ્ત્રોતને ફોટોસેલથી $20 \ cm$ દૂર રાખવામાં આવે છે,ત્યારે $0.6 \ V$ નું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ મળે છે. જ્યારે સ્ત્રોતને $40 \ cm$ દૂર રાખવામાં આવે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ .......... $V$ હશે.

ધાતુની વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કરતા બમણી અને પાંચ ગણી ઉર્જા ધરાવતા બે ફોટોન ક્રમશઃ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. આ બે કિસ્સાઓમાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?