જ્યારે પ્રકાશના સ્ત્રોતને ફોટોસેલથી $20 \ cm$ દૂર રાખવામાં આવે છે,ત્યારે $0.6 \ V$ નું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ મળે છે. જ્યારે સ્ત્રોતને $40 \ cm$ દૂર રાખવામાં આવે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ .......... $V$ હશે.

ધાતુની સપાટી પરથી આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિઓ $v_1$ અને $v_2$ $(v_1 > v_2)$ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન જોવા મળે છે. જો બંને કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1: n$ હોય,તો ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

$hf$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન જ્યારે એલ્યુમિનિયમ પ્લેટ (જેનું કાર્ય વિધેય $E_0$ છે) પર આપાત થાય છે,ત્યારે મહત્તમ ગતિઊર્જા $K$ ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો વિકિરણની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી થશે?

સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $({V_0})$:

એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં ઉત્તેજિત તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v$ છે. જો ઉત્તેજિત તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ કેટલી હશે?

સોડિયમ અને કોપરના વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $2.3 \ eV$ અને $4.5 \ eV$ છે. તો તેમની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇનો ગુણોત્તર કોની નજીક છે?