સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $({V_0})$:

એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.3 \text{ eV}$ છે અને જ્યારે તેના પર ફોટોન આપાત થાય છે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $0.3 \text{ eV}$ છે. આપાત ફોટોનની તરંગલંબાઈ $\mathring A$ માં શોધો.

જ્યારે કોઈ ચોક્કસ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી લઘુત્તમ પોટેન્શિયલ $6.0 \ V$ છે. જો બીજા સ્ત્રોતનો ઉપયોગ કરવામાં આવે જેની તરંગલંબાઈ પ્રથમ કરતા ચાર ગણી અને તીવ્રતા પ્રથમ કરતા અડધી હોય,તો આ પોટેન્શિયલ ઘટીને $0.6 \ V$ થઈ જાય છે. પ્રથમ સ્ત્રોતની તરંગલંબાઈ અને ધાતુનું વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે કેટલું હશે? $\left[\text{લો } hc = 1.24 \times 10^{-6} \ J \ m\right]$

ત્રણ ધાતુઓ $A, B$ અને $C$ ના વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) અનુક્રમે $W_A, W_B$ અને $W_C$ છે. તેઓ ઘટતા ક્રમમાં છે $(W_A > W_B > W_C)$. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા $E_k$ અને આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $v$ વચ્ચેનો સાચો આલેખ કયો છે?

તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશનો કિરણ ત્રણ અલગ-અલગ ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક સેલ $1$, $2$ અને $3$ પર આપાત થાય છે. આ ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક સેલની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ અનુક્રમે $\lambda_1$, $\lambda_2$ અને $\lambda_3$ છે અને આ સેલના સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલના મૂલ્યો અનુક્રમે $V_1$, $V_2$ અને $V_3$ છે. $\lambda$ અને થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ વચ્ચેનો સંબંધ $\lambda_1 < \lambda$, $\lambda_2 > \lambda$ અને $\lambda_3 >> \lambda$ છે. સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો:

જ્યારે આપાત વિકિરણની ઊર્જામાં $20 \%$ નો વધારો કરવામાં આવે છે,ત્યારે ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા $0.5 \ eV$ થી વધીને $0.8 \ eV$ થાય છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે ($eV$ માં)?