એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.3 \text{ eV}$ છે અને જ્યારે તેના પર ફોટોન આપાત થાય છે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $0.3 \text{ eV}$ છે. આપાત ફોટોનની તરંગલંબાઈ $\mathring A$ માં શોધો.

એક પ્રકાશનો સ્ત્રોત ફોટોસેલથી $20 \ cm$ અંતરે મૂકવામાં આવે છે અને માપેલ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.6 \ V$ છે. જો સ્ત્રોતનું અંતર બદલીને $40 \ cm$ કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ માં કેટલું હશે?

જ્યારે $1 \ W/m^2$ તીવ્રતા અને $5 \times 10^{-7} \ m$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ સપાટી પર આપાત થાય છે, ત્યારે તેનું સંપૂર્ણ શોષણ થાય છે. જો $100$ ફોટોન એક ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરતા હોય અને સપાટીનું ક્ષેત્રફળ $1 \ cm^2$ હોય, તો ફોટોઇલેક્ટ્રિક પ્રવાહ કેટલો હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $\nu$ ને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ ની વિરુદ્ધ આલેખવામાં આવે છે. ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) શેના દ્વારા આપવામાં આવે છે? ($e$ એ ઈલેક્ટ્રોનિક ચાર્જ છે)

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માં, સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ શેના પર આધાર રાખે છે?

એક ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5 \times 10^{-10} \, m$ છે. જ્યારે તેને $2 \times 10^{-10} \, m$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ મળે છે. જો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ બમણી કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું થશે?