ફોટોઇલેક્ટ્રિક સેલ માટે આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $(\nu)$ સાથે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ ના ફેરફારને દર્શાવતો આલેખ કયો છે?

જ્યારે $hv$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન $W_0$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય છે,ત્યારે $K$ મહત્તમ ગતિઊર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો વિકિરણની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી થશે?

જ્યારે પ્રકાશ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. આ ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન માટે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈના એકવર્ણી પ્રકાશ સાથે ચોક્કસ ધાતુની સપાટીને પ્રકાશિત કરવામાં આવે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ માટેનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $6V_0$ છે. જ્યારે આ જ સપાટીને $2\lambda$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ સાથે પ્રકાશિત કરવામાં આવે ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $2V_0$ છે. આ સપાટી માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી છે?

$400 \, nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ $2.5 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર પડે ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું મહત્તમ રેખીય વેગમાન શોધો.

$4.2\,eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન ધરાવતા પ્રકાશના કિરણો $2.2\,eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર પડે છે. સપાટીનો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $.........\,V$ છે.