એક કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ $2 \ pF$ છે. જો કેપેસિટરની અંદરનું વિદ્યુતસ્થિતિમાન $10^{12} \ V \ s^{-1}$ ના દરે બદલાતું હોય,તો સ્થાનાંતર પ્રવાહ ..... $A$ છે.

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુત સ્થિતિમાનનો તફાવત $10^6 \; V/s$ ના દરથી બદલાય છે. જો કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $2 \; \mu F$ હોય, તો કેપેસિટરના ડાઈઈલેક્ટ્રિકમાં સ્થાનાંતર પ્રવાહ કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $0.25 \, \Omega m$ અવરોધકતા અને $80$ સાપેક્ષ પરમિટિવિટી ધરાવતા પ્રવાહીમાં સંપૂર્ણપણે ડુબાડવામાં આવે છે. જો કેપેસિટરની પ્લેટોને $0.4 \, GHz$ આવૃત્તિ ધરાવતા $V = V_0 \sin(\omega t)$ વોલ્ટેજ સ્ત્રોત સાથે જોડવામાં આવે,તો સ્થાનાંતર પ્રવાહ $(I_d)$ અને વહન પ્રવાહ $(I_c)$ ના કંપનવિસ્તારનો ગુણોત્તર શોધો:

નીચેનામાંથી કયો વિકલ્પ એમ્પીયર-મેક્સવેલનો નિયમ દર્શાવે છે?

વિધાન : ડાયપોલના દોલનો વિદ્યુતચુંબકીય તરંગો ઉત્પન્ન કરે છે.
કારણ : પ્રવેગીત વિદ્યુતભાર વિદ્યુતચુંબકીય તરંગો ઉત્પન્ન કરે છે.

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર પરનો વિદ્યુતભાર $q = q_0 \cos(2\pi \nu t)$ મુજબ બદલાય છે. પ્લેટો ખૂબ મોટી અને એકબીજાની નજીક છે (ક્ષેત્રફળ $= A$,અંતર $= d$). ધારની અસરોને અવગણતા,કેપેસિટરમાંથી વહેતો સ્થાનાંતર પ્રવાહ શોધો.