जब जर्मेनियम को किसके साथ डोप किया जाता है,तो $N-$ प्रकार के अर्धचालक (semiconductors) प्राप्त होते हैं?

$300 \ K$ तापमान पर शुद्ध सिलिकॉन में इलेक्ट्रॉनों $n_e$ और होल्स $n_h$ की सांद्रता $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ है। इंडियम के डोपिंग द्वारा $n_h$ को बढ़ाकर $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ कर दिया जाता है। तो डोप्ड सिलिकॉन में इलेक्ट्रॉनों $n_e$ की सांद्रता ज्ञात कीजिए।

एक सिलिकॉन नमूने को डोपिंग द्वारा $p$-प्रकार के अर्धचालक में बदला जाता है। इसमें इंडियम का एक परमाणु प्रति $5 \times 10^7$ सिलिकॉन परमाणुओं पर मिलाया जाता है। यदि सिलिकॉन का संख्या घनत्व $5 \times 10^{28} \text{ atoms/m}^3$ है,तो प्रति $\text{cm}^3$ स्वीकारक (एक्सेप्टर) परमाणुओं का संख्या घनत्व ज्ञात कीजिए।

$p$-प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) के लिए दिए गए कथनों में से कौन सा सत्य है?

$N-$ प्रकार के अर्धचालक पर कुल आवेश कितना होता है?

शुद्ध $Ge$ के लिए आंतरिक वाहक घनत्व $10^{19} \ m^{-3}$ है। यदि $10^{23} \ m^{-3}$ घनत्व वाली दाता अशुद्धि मिलाई जाती है,तो होल घनत्व ($m^{-3}$ में) क्या होगा?