$12\,V$ ની બેટરી $6\,\Omega$ અવરોધ ધરાવતા કોઈલ સાથે સ્વીચ દ્વારા જોડાયેલ છે,જે પરિપથમાં અચળ પ્રવાહ વહેવડાવે છે. સ્વીચ $1\,ms$ માં ખોલવામાં આવે છે. કોઈલ પર ઉદ્ભવતું emf $20\,V$ છે. કોઈલનું ઇન્ડક્ટન્સ ........... $mH$ છે.

જ્યારે કોઈલ (ગૂંચળા) માં વિદ્યુતપ્રવાહ $3 \times 10^{-3} \ s$ માં $8 \ A$ થી બદલાઈને $2 \ A$ થાય છે,ત્યારે કોઈલમાં ઉદ્ભવતું $e.m.f.$ $2 \ V$ છે. મિલિહેન્રી $(mH)$ માં કોઈલનું આત્મપ્રેરકત્વ (self-inductance) કેટલું હશે?

સોલેનોઇડમાંથી પસાર થતા પ્રવાહનો સમય વિરુદ્ધનો આલેખ આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. કયા સમયે બેક ઇલેક્ટ્રોમોટિવ ફોર્સ $(emf)$ મહત્તમ હશે? જો $t = 3\;s$ સમયે બેક $emf$ નું મૂલ્ય $e$ હોય, તો $t = 7\;s$, $15\;s$ અને $40\;s$ સમયે બેક $emf$ શોધો. $OA$, $AB$ અને $BC$ સીધી રેખાઓ છે.

એક ઇન્ડક્ટરને સ્વીચ દ્વારા ડાયરેક્ટ વોલ્ટેજ સ્ત્રોત સાથે જોડવામાં આવે છે. પ્રેરિત ઇલેક્ટ્રોમોટિવ ફોર્સ $(emf)$ ના સંદર્ભમાં નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

બે ગૂંચળા $A$ અને $B$ માં અનુક્રમે $180$ અને $360$ આંટા છે. બંને ગૂંચળામાંથી $1 \text{ A}$ નો વિદ્યુતપ્રવાહ વહે છે. ગૂંચળા $A$ માં $1 \text{ A}$ પ્રવાહને કારણે, ગૂંચળા $A$ સાથે સંકળાયેલ આંટા દીઠ ફ્લક્સ $0.8 \times 10^{-3} \text{ Wb}$ છે. ગૂંચળા $B$ માં $1 \text{ A}$ પ્રવાહને કારણે, ગૂંચળા $B$ સાથે સંકળાયેલ આંટા દીઠ ફ્લક્સ $1 \times 10^{-3} \text{ Wb}$ છે. ગૂંચળા $A$ નું આત્મપ્રેરકત્વ $L_A$ છે અને ગૂંચળા $B$ નું આત્મપ્રેરકત્વ $L_B$ છે. $L_A$ અને $L_B$ નો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

સેલ્ફ-ઇન્ડક્ટન્સ (આત્મ-પ્રેરકત્વ) વિશે:
$A:$ કોઈલનું આત્મ-પ્રેરકત્વ તેની ભૂમિતિ પર આધાર રાખે છે.
$B:$ આત્મ-પ્રેરકત્વ માધ્યમની પરમીએબિલિટી (પારગમ્યતા) પર આધાર રાખતું નથી.
$C:$ આત્મ-પ્રેરિત e.m.f. સર્કિટમાં પ્રવાહના કોઈપણ ફેરફારનો વિરોધ કરે છે.
$D:$ આત્મ-પ્રેરકત્વ એ મિકેનિક્સમાં દળનું ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટિક સમકક્ષ છે.
$E:$ પ્રવાહ સ્થાપિત કરવા માટે આત્મ-પ્રેરિત e.m.f. ની વિરુદ્ધ કાર્ય કરવું પડે છે.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો: